氮化硅薄膜膜厚标准物质

Thin Film Thickness CRM of Si/Si3N4

    氮化硅薄膜膜厚标准物质用于校准表面分析设备如俄歇电子光谱仪、X 射线光电能谱仪及二次离子质谱仪的溅射速率，薄膜厚度测量设备如椭偏仪，确保这些设备在 50 nm~200 nm 范围测量时量值准确性、可比性，满足纳米材料及器件设计、制造等单位的需求。

一、样品制备

    采用 ICP-CVD 生长方法，在 Si(100)基底上生长膜厚名义量值为 200 nm 的 Si3N4，切割为 20 mm×20 mm 的正方形，经定值测量后采用铝箔包装袋真空包装。

二、溯源性及定值方法

    采用掠入射 X 射线反射技术为样品定值，此设备为计量校准装置，角度溯源至多齿分度台标准装置，入射光波长溯源至单晶硅晶格参数。通过使用满足计量学特性要求的测量方法和计量器具保证其量值溯源性。

三、特性量值及不确定度

    标准值不确定度包括测量过程、测量设备、均匀性及稳定性引入的不确定度分量。

四、均匀性检验及稳定性考察

    依据 JJF1343-2012《标准物质定值的通用原则及统计学原理》要求，对该标准物质样品随机抽样进行均匀性检验和稳定性检验。

    采用椭偏仪检验均匀性，掠入射 X 射线反射技术检验稳定性。每片样品取 15 点测量，每组数据均以 F 检验法进行统计检验。稳定性检验 12 个月，以 t 检验法进行统计检验。

    检验结果表明该标准物质均匀性、稳定性良好，其有效期暂定为一年。研制单位将继续跟踪监测该标准物质的稳定性，有效期内如发现量值变化，将及时通知用户。

五、包装、储存及使用

    包装：本标准物质的内包装为半导体封装盒，外包装为铝箔真空袋，每包装为一片，20 mm× 20mm；保存条件：真空包装，阴凉、干燥处存放；使用注意事项：样品开封使用应保证取样工具等洁净，避免样品沾污。

声明

1．本标准物质仅供实验室研究与分析测试工作使用。因用户使用或储存不当所引起的投诉，不予承担责任。

2．收到后请立即核对品种、数量和包装，相关赔偿只限于标准物质本身，不涉及其他任何损失。

3．仅对加盖“中国计量科学研究院标准物质专用章”的完整证书负责。请妥善保管此证书。

4．如需获得更多与应用有关的信息，请与技术咨询部门联系。

注：以上信息仅供参考，以产品附带证书为准。